Gate-tunable high mobility remote-doped InSb/In1-xAlxSb quantum well heterostructures

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

  • Wei Yi
  • Andrey A. Kiselev
  • Jacob Thorp
  • Ramsey Noah
  • Binh-Minh Nguyen
  • Steven Bui
  • Rajesh D. Rajavel
  • Tahir Hussain
  • Mark F. Gyure
  • Philip Kratz
  • Qi Qian
  • Michael J. Manfra
  • Vlad S. Pribiag
  • Leo P. Kouwenhoven
  • Marcus, Charles M.
  • Marko Sokolich
OriginalsprogEngelsk
Artikelnummer142103
TidsskriftApplied Physics Letters
Vol/bind106
Udgave nummer14
Antal sider5
ISSN0003-6951
DOI
StatusUdgivet - 6 apr. 2015

ID: 154144981