On the metallic state in high-mobility silicon inversion and silicon-on-insulator layers
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Tidsskrift | Physica E |
Udgave nummer | 13 |
Sider (fra-til) | 691 |
Status | Udgivet - 2002 |
ID: 134677