InAs nanowire with epitaxial aluminium as a single-electron transistor with fixed tunnel barriers
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Artikelnummer | 054017 |
Tidsskrift | Physical Review Applied |
Vol/bind | 6 |
Antal sider | 7 |
ISSN | 2331-7019 |
DOI | |
Status | Udgivet - 28 nov. 2016 |
ID: 167180961