Peter Krogstrup Jeppesen

Peter Krogstrup Jeppesen

Executive Director, Professor, Professor

Medlem af:


    1. 2013
    2. Udgivet

      Electrical contacts to single nanowires: a scalable method allowing multiple devices on a chip. Application to a single nanowire radial p-i-n junction

      Blanc, P., Hiess, M., Colombo, C., Mallorqui, A. D., Safaei, T. S., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper & Fontcuberta, A., 1 jan. 2013, I: International Journal of Nanotechnology. 10, 5-7, s. 419-432 14 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    3. Udgivet

      Doping incorporation paths in catalyst-free Be-doped GaAs nanowires

      Casadei, A., Krogstrup, Peter, Heiss, M., Röhr, J. A., Colombo, C., Ruelle, T., Upadhyay, S., Sørensen, Claus Birger, Nygård, Jesper & Morral, A. F. I., 2013, I: Applied Physics Letters. 102, 1, 4 s., 013117.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    4. Udgivet

      Experimental determination of adatom diffusion lengths for growth of InAs nanowires

      Madsen, M. H., Krogstrup, Peter, Johnson, Erik, Venkatesan, S., Mühlbauer, E., Scheu, C., Sørensen, Claus Birger & Nygård, Jesper, 2013, I: Journal of Crystal Growth. 364, s. 16-22 7 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    5. Udgivet

      Single-nanowire solar cells beyond the Shockley-Queisser limit

      Krogstrup, Peter, Jørgensen, H. I., Heiss, M., Demichel, O., Holm, J. V., Aagesen, M., Nygård, Jesper & Fontcuberta i Morral, A., 2013, I: Nature Photonics. 7, 4, s. 306-310 5 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    6. 2012
    7. Udgivet

      In-situ x-ray characterization of wurtzite formation in GaAs nanowires

      Krogstrup, Peter, Madsen, M. H., Wen, H., Miwa, K., Nygård, Jesper, Masamitu, T. & Feidenhans'l, Robert Krarup, 27 feb. 2012, I: Applied Physics Letters. 100, 9, 4 s., 093103.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    8. Udgivet

      Suppression of three dimensional twinning for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on silicon

      Russo-Averchi, E., Heiss, M., Michelet, L., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper, Magen, C., Morante, J. R., Arbiol, J. & i Morral, A. F., 19 jan. 2012, I: Nanoscale. 4, s. 1486-1490 5 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    9. Udgivet

      An Electrically-Driven GaAs Nanowire Surface Plasmon Source

      Fan, P., Colombo, C., Huang, K. C. Y., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper, Fontcuberta i Morral, A. & Brongersma, M. L., 2012, I: Nano Letters. 12, 9, s. 4943-4947

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    10. Udgivet

      Dynamical theory and experiments on GaAs nanowire growth for photovoltaic applications

      Krogstrup, Peter, 2012, Faststoffysik, Niels Bohr Institute udg. The Niels Bohr Institute, Faculty of Science, University of Copenhagen. 138 s.

      Publikation: Bog/antologi/afhandling/rapportPh.d.-afhandlingForskning

    11. 2011
    12. Udgivet

      Engineering light absorption in single-nanowire solar cells with metal nanoparticles

      Colombo, C., Krogstrup, Peter, Nygård, Jesper, Brongersma, M. L. & Morral, A. F., 16 dec. 2011, I: New Journal of Physics. 13, s. 123026

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    13. Udgivet

      Coherent X-ray nanodiffraction on single GaAs nanowires

      Gulden...[et al.], J., Mancuso, A., Mariager, S. O., Baltser, J., Feidenhans'l, Robert Krarup & Krogstrup, Peter, 1 nov. 2011, I: Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science (Print). 208, 11, s. 2495-2498

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    14. Udgivet

      Influence of the oxide layer for growth of self-assisted InAs nanowires on Si(111)

      Madsen, M. H., Aagesen, M., Krogstrup, Peter, Sørensen, Claus Birger & Nygård, Jesper, 31 aug. 2011, I: Nanoscale Research Letters. 6, s. 516

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    15. Udgivet

      Three-Dimensional Multiple-Order Twinning of Self-Catalyzed GaAs Nanowires on Si Substrates

      Uccelli...[et al.], E., Arbiol, J., Magen, C., Krogstrup, Peter & Nygård, Jesper, 8 aug. 2011, I: Nano Letters. 11, 9, s. 3827-3832

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    16. Udgivet

      Impact of the liquid Phase shape on the structure of III-V nanowires

      Krogstrup, Peter, Curiotto, S., Johnson, Erik, Aagesen, M., Nygård, Jesper & Chatain, D., 22 mar. 2011, I: Physical Review Letters. 106, 12, s. 125505

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    17. 2010
    18. Udgivet

      Structural phase control in self-catalyzed growth og GaAs nanowires on silicon (111)

      Krogstrup, Peter, Popovitz-Biro, R., Johnson, Erik, Madsen, M. H., Nygård, Jesper & Shtrikman, H., 8 okt. 2010, I: Nano Letters. 10, 11, s. 4475-4482 7 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    19. Udgivet
    20. Udgivet

      Absolute dimensions of eclipsing binaries XXVIII. BK pegasi and other F-type binaries: prospects for calibration of convective core overshoot

      Clausen, J. V., Frandsen, S., Bruntt, H., Olsen, E. H., Helt, B. E., Gregersen, K. A., Juncher, D. & Krogstrup, Peter, 12 apr. 2010, I: Astronomy & Astrophysics. 516, s. A42 14 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    21. 2009
    22. Udgivet

      Junctions in axial III-V heterostructure nanowires obtained via an interchange of group III elements

      Krogstrup, Peter, Yamasaki, J., Claus B., S., Johnson, Erik, Jakob B., W., Pennington, R., Aagesen, M., Tanaka, N. & Nygård, Jesper, 2009, I: Nano Letters. 9, 11, s. 3689-3693 4 s.

      Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningfagfællebedømt

    Forrige 12 3 4 5 6 Næste

    ID: 15747704