Suppression of three dimensional twinning for a 100% yield of vertical GaAs nanowires on silicon
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Tidsskrift | Nanoscale |
Vol/bind | 4 |
Sider (fra-til) | 1486-1490 |
Antal sider | 5 |
ISSN | 2040-3364 |
DOI | |
Status | Udgivet - 19 jan. 2012 |
ID: 37606153