Stages in molecular beam epitaxy growth of GaAs nanowires studied by x-ray diffraction
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Originalsprog | Engelsk |
---|---|
Tidsskrift | Nanotechnology |
Vol/bind | 21 |
Udgave nummer | 11 |
Sider (fra-til) | 115603 |
Antal sider | 7 |
ISSN | 0957-4484 |
DOI | |
Status | Udgivet - 19 mar. 2010 |
ID: 32335216