Ambipolar transistor behavior in p-doped InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
Publikation: Bidrag til tidsskrift › Tidsskriftartikel › Forskning › fagfællebedømt
Udgivelsesdato: 2008
| Originalsprog | Engelsk |
|---|---|
| Tidsskrift | Applied Physics Letters |
| Vol/bind | 92 |
| Udgave nummer | 1 |
| Sider (fra-til) | 012119 |
| ISSN | 0003-6951 |
| DOI | |
| Status | Udgivet - 2008 |
- Det Natur- og Biovidenskabelige Fakultet
Forskningsområder
ID: 9513620